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张国强; 余学锋; 高文钰; 任迪远; 严荣良; 赵元富; 胡浴红; 王英明;
中国科学院新疆物理研究所;
骊山微电子研究所;
氧化物; 电离辐射; 退火; 工艺; MOSFET;
机译:不同栅极偏压对SiC MOSFET的辐照和退火响应的影响
机译:比较形成气体,氮气和真空退火对X射线辐照MOSFET的影响
机译:氧气退火对β-GA_2O_3 MOSFET的影响:改进的夹紧特性和输出功率密度
机译:γ射线辐照对6G-SiC MOSFET退火后的电特性的影响
机译:反复退火对伽马辐照热发光剂量计可重复使用性的影响
机译:微观结构对场增强的影响锂离子纳米晶金刚石薄膜的电子发射特性植入和退火工艺
机译:质子辐照和退火sOI晶片的伪mOsFET分析
机译:辐照mOsFET的瞬态退火表征
机译:通过电子辐照和退火转换半导体器件中少数载流子的光学特性和复合特性的方法
机译:用膜工艺辐照能量束的退火工艺
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