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张国强; 余学锋; 任迪远; 陆妩; 严荣良;
中科院新疆物理所;
辐射; 退火; MOSFET; 漏电流; CMOS器件;
机译:使用激光退火进行源极/漏极激活的Ge n沟道MOSFET的驱动电流增强
机译:γ辐照N沟道MOSFET漏极电流和阈值电压的SPICE模型提取参数
机译:漏极电流迟滞和瞬态行为的伪MOSFET衬底效应
机译:中子辐照接着热退火提高Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8 + x)单晶的临界电流密度-中子注量的作用-
机译:核反应堆压力容器钢的辐照脆化动力学和辐照后退火
机译:洛仑兹力对单漏极MOSFET的漏极电流调制用于磁传感应用
机译:3MEV - 电子束诱导阈值电压偏移和漏极电流降解ZVN3320FTA&amp上的漏极电流降解; ZVP3310FTA商业MOSFET.
机译:辐照mOsFET的瞬态退火表征
机译:-利用MOSFET中的栅诱导漏极漏电流来控制栅氧化损伤的局部热退火方法
机译:用于IC(集成电路)的电阻器电路,其MOSFET的漏极连接到反馈电阻器,该反馈电阻器通过基于参考电流的预加载进行操作;以及电流镜电路,用于产生参考电流
机译:汽车电气或电子设备的过电流限制电路,根据检测到的过电流,当漏源电压降至阈值以下时,限制功率MOSFET中的电流
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