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黄爱华; 万新恒; 张兴;
中国电子学会;
MOS电路; 器件性能; 辐照;
机译:n沟道功率VDMOSFET的辐照后退火和高电场后退火的比较
机译:高能离子辐照下金属热退火的计算机模拟
机译:高能离子辐照中金属热退火的计算机模拟
机译:γ射线辐照和热退火对SiC MOSFETs电学特性的影响
机译:集成剂量历史的MOSFET灵敏度变化,CT剂量学中MOSFET的应用,门禁监护仪的物理特性以及基于排队论的用于筛查受污染人员的门禁监护仪使用情况分析
机译:具有ZrO2介质的高迁移率Ge pMOSFET:后退火的影响
机译:质子辐照和退火sOI晶片的伪mOsFET分析
机译:辐照mOsFET的瞬态退火表征
机译:通过电子辐照和退火转换半导体器件中少数载流子的光学特性和复合特性的方法
机译:辐照和退火半导体器件以改善器件特性
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