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单尼娜; 吕长志; 李志国; 张小玲; 郭春生; 朱春节;
北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室;
VDMOS; 辐照; 阈值电压; 存储; 退火;
机译:γ射线辐照和退火温度对无金属和四苯基卟啉锌薄膜的光学常数和光谱色散参数的影响
机译:退火后环境对离子辐照Si纳米晶体光致发光恢复的影响
机译:退火温度对具有HfO_2隧穿和阻挡层的Au纳米晶体电荷存储特性的影响
机译:γ射线辐照对6G-SiC MOSFET退火后的电特性的影响
机译:几何形状和食用温度对辐照的博洛尼亚和法兰克福香肠品质特性的影响。
机译:辐照后孵育温度对放射损伤的肉毒梭菌62A孢子恢复的影响。
机译:质子辐照后恢复有源器件的低功耗和原位退火技术
机译:快中子辐照后温度补偿精密电压基准的快速退火
机译:通过辐照和退火调节二极管的反向恢复时间和正向电压降特性
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