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宋文斌; 蔡小五;
大连东软信息学院;
VDMOS ; 抗辐照 ; 多晶硅剥离技术; 动态性能 ;
机译:辐照对4 H-SiC VDMOS电学参数的影响
机译:老化应力对功率VDMOSFET辐照后退火响应的影响
机译:γ辐照对功率vdmos晶体管电学特性的影响
机译:功率VDMOSFET中/ splγ/辐照和辐照后热退火的影响
机译:辐照对食品生产中的发酵香肠的微生物微丝的影响,放射性体系对食品系统中细菌的影响以及一种对抗辐射,无孢子形成细菌进行计数的新方法。
机译:基于不同波长效应的纳秒脉冲激光辐照多晶硅损伤特性的研究
机译:电子辐照和强磁场影响下SOI结构中多晶硅层的电阻研究
机译:萨凡纳河综合示范区现场空气剥离技术的成本效益分析。第1部分和第2部分
机译:通过剥离技术制造具有高电阻元件的TaSi多晶硅导体
机译:通过分析操作条件对主轴动态特性的影响来防止空气轴承主轴振动的超高速空气轴承主轴的动态特性分析装置
机译:带有多晶硅栅极的垂直双扩散MOS晶体管(VDMOS)具有三层结构,源极平台和沟槽以及金属桥短路
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