一种改善动态特性的超结VDMOS器件

摘要

本发明涉及一种改善动态特性的超结VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明提供的一种改善动态特性的超结VDMOS器件，通过在轻掺杂第一导电类型半导体柱表面引入轻掺杂第二导电类型埋层，并在其上覆盖高K介质材料层和第二多晶硅电极，在不影响器件耐压的前提下，使器件在低漏压下具有较小的Cgd，在高漏压下具有较大的Cgd，实现既能加快开关时间，减小开关功耗，又能减小开关振荡，缓解EMI，从而改善超结器件的动态特性。