不同浓度硼掺杂金刚石薄膜的场发射性能的研究

摘要

利用微波等离子体化学气相淀积法（MPCVD）,在硅基片上合成硼掺杂金刚石薄膜。研究B2O3从1000~5000 ppm不同浓度对场发射性能影响。随硼浓度地增加,纳米金刚石（NCD）薄膜的场发射性能得到改善。且场发射性能的增强归功于更好的电导率和金刚石薄膜的纳米特性。