CRD的特性和硅外延层质量控制

摘要

本文分析了ＣＲＤ特性和外延层质量的关系，并报导了改善外延层质量的方法和措施。由于外延层晶格结构以及外延层厚和电阻率的均匀性提高，使ＣＲＤ的Ｉ＿Ｈ值精确控制和击穿电压Ｖ＿Ｂ值提高有了明显的进展。