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高愈尊; 高桥平七郎; 佐藤羲一; 竹山太郎;
北京有色金属研究总院;
日本北海道大学工学部金属研究所;
单晶硅; 氧; 氢; 电子辐照; 辐照缺陷;
机译:质子辐照的FZ-硅单晶中点辐射缺陷的正电子探测
机译:低温中子和电子辐照在奥氏体钢16Cr15Ni3Mo1Ti中辐射缺陷的积累和退火及其对氢的影响
机译:正电子an没技术研究烧结温度对多孔硅单晶中缺陷的影响
机译:质子辐照的FZ-硅单晶中的点辐射缺陷的正电子探测
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:使用电子束辐照图案化氢倍半硅氧烷氢膜的机械性能以用于机械细胞引导
机译:电子辐照对硅单晶质量的影响
机译:EpR研究电子辐照硅中的缺陷:空位氧配合物的三重态。
机译:消除中子辐照FZ硅单晶辐照缺陷的方法
机译:修复磷掺杂的硅单晶晶格缺陷-通过在一定温度下加热回火晶体。取决于中子辐照条件
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