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孟祥提;
清华大学核能技术设计研究院;
硅单晶; 中子辐照; 电子辐照; 氧相关缺陷;
机译:使用FIB制备中子辐照Si和ZrN涂覆的UMO颗粒的中子辐照Si和Zrn涂层umO颗粒的透射电子显微镜
机译:高压退火中子辐照的Cz-Si的氧沉淀和缺陷产生
机译:p-Si中引入的缺陷的电子性质的比较研究:(i)电子束沉积Ti / Mo期间,(ii)质子辐照,和(iii)电子辐照
机译:电子辐照CZ-Si中氧相关缺陷研究进展
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:Frenkel缺陷扩散在离子辐照Si中动态退火中的作用
机译:辐照金属中小缺陷簇的电子显微镜观察.nII。调查中子和离子辐照铜和中子辐照镍
机译:缩短电子束辐照装置中氧浓度降低时间的方法及该装置
机译:绘制频率相关的听力缺陷的测试方法-将用户操作的灵敏度发生器比较结果存储在电子存储器中或写入磁卡中
机译:最小化半导体芯片和其他微电子元件放置中与放置相关的缺陷的方法
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