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马巧云; 陈贵锋; 李占凯; 马晓薇; 薛晶晶; 郝秋艳; 李养贤;
中国电子学会;
快中子辐照; 直拉硅; 氧沉淀; 体层错; 本征吸除效应; 诱生缺陷密度;
机译:快中子辐照直拉硅中VO缺陷的红外吸收光谱研究
机译:研究氮退火对快中子辐照切克劳斯基硅中氧沉淀的影响
机译:中子辐照对直拉硅中氧沉淀的影响
机译:高温退火后快中子辐照氮掺杂的直拉硅的缺陷
机译:切克劳斯基硅中氧沉淀的模型。
机译:重新探讨辐照硅中与碳有关的缺陷
机译:直拉硅中氧沉淀物和铜络合物的研究
机译:中子辐照高电阻率硅结探测器中氧空位(a中心)缺陷复杂剖面的研究
机译:以预测单晶硅中产生的氧沉积行为的单晶硅中的氧沉淀行为预测方式,以单晶硅中的氧沉淀行为预测方式预测氧沉积行为
机译:用于测量单晶硅中的氧沉淀行为的P方法,用于制造硅单晶晶片的工艺确定方法以及具有用于测量单晶硅中的氧沉淀行为的程序的记录介质
机译:在用于制备氧沉淀物行为测量方法的单晶行为测量程序中记录用于确定硅氧如何沉淀的步骤以及硅单晶介质中的硅单晶片
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