电子辐照对直拉硅中氧沉淀的影响

摘要

cqvip:主要研究了1.5MeV、剂量为3.5×10^(17)e/cm^2的电子辐照后的直拉硅经后续高温热处理,其体内氧沉淀的变化情况以及清洁区的形成。结果表明,电子辐照促进了直拉硅中氧沉淀的生成,而且经过快速热处理再加上高温一步退火,电子辐照后的直拉硅内形成一定宽度的清洁区,而且清洁区的宽度随快速热处理温度的升高而变窄。