精密控制硅中氧的沉淀

摘要

控制单晶硅中氧沉淀物成核中心密度的工艺。该工艺中，为了在单晶硅中形成氧沉淀物成核中心，在至少约350℃的温度下对单晶硅退火。在退火工序中，加热(或冷却)单晶硅到第一温度T₁，T₁在约350℃和约500℃之间。然后从T₁升温至第二温度T₂，T₂在约500℃和约700℃之间，从T₁到T₂的平均升温速率小于25℃/min。当通过在不超过约1150℃的某一温度下对硅进行热处理能够溶解氧沉淀成核中心时，结束退火。