基于氧沉淀抑制位移辐照损伤的直拉硅衬底及其制备方法

摘要

本发明公开了基于氧沉淀抑制位移辐照损伤的直拉硅衬底及其制备方法：该衬底材料包括靠近表面的无氧沉淀洁净区和洁净区下方的氧沉淀区，作为位移辐照诱生空位与间隙硅的复合中心，从而有效地抑制位移辐照损伤；该方法是对硅衬底材料进行快速热处理和低温、高温退火处理进行制备。本发明中的氧沉淀区作为位移辐照诱生空位与间隙硅的复合中心，能减小辐照过程中所产生的大量间隙原子、空位等缺陷，从而大幅度降低材料体内缺陷密度，防止间隙原子、空位等的聚集形成原子团簇、空洞等，大大降低了材料的肿胀、硬化、非晶化等辐照损伤。另外，氧沉淀还可有效地吸除硅衬底材料表面的金属杂质，有利于提高集成电路的成品率。