高阻NTD-FZ-Si-P^+n结电子辐照缺陷能级N_2气氛的退火特性

摘要

报导了高阻（８１～１１０Ω·ｃｍ）ＮＴＤＦＺＳｉＰ＋ｎ结中电子辐照缺陷态的退火特性。在Ｎ２气氛保护下进行等时、等温退火，测量了它们的ＤＬＴＳ谱和相应的少数载流子寿命，并对结果进行了分析讨论。