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段宝兴; 杨银堂;
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;
CMOS; 双层金属栅; 阈值电压; 调变功函数;
机译:使用Hf-Mo二元合金对可集成双金属栅CMOS技术进行连续且精确的功函数调整
机译:金属卟啉自组装单层的可变界面偶极子,用于先进CMOS技术中的金属门功函数调节
机译:具有可调整功函数的CMOS应用的三层层压金属栅电极
机译:自下而上的先进CMOS技术中高k /金属栅叠层中功函数调整的方法
机译:用于高级CMOS技术的反应溅射HfxSi yNz金属栅电极的功函数调整。
机译:Ni与金属嵌入纳米粒子接触4H-SiC的取决于金属功函数的势垒高度
机译:CMOS技术中金属栅材料的功函数和工艺集成问题
机译:后栅等离子体和溅射工艺对金属栅CmOs集成电路辐射硬度的影响
机译:半导体结构,双功函数的CMOS器件,双功函数的CMOS电路以及在基板上形成双功函数的CMOS器件的方法(碳化物金属栅极结构和形成方法)
机译:半导体结构,在双功函数的CMOS器件上形成双功函数的CMOS器件的方法,CMOS电路和双功函数的基板(碳化金属栅极结构和形成方法)
机译:通过用替代栅技术去除侧壁上的功函数金属制成的高k金属栅电极结构
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