机译:不同厚度的可调整功函数金属栅极到高/金属栅极CMOS FinFET的栅极优先集成
机译:使用Hf-Mo二元合金对可集成双金属栅CMOS技术进行连续且精确的功函数调整
机译:新兴CMOS技术中的工艺变化效应,金属门功函数起伏和随机掺杂物起伏
机译:高k电介质和双金属门:新CMOS材料的集成问题
机译:基于future的多金属高k栅极电介质的电气和材料特性,可用于未来的规模化CMOS技术:物理,可靠性和工艺开发。
机译:在气体传感器中集成装饰有金属氧化物的CNT网络和CMOS读数
机译:过程变化效应,金属栅极工作函数波动和新兴CMOS技术中的随机掺杂波动