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谢飞; 袁军伟; 何家文;
西安交通大学金属材料强度国家重点实验室;
PECVD; 循环氩离子轰击; 氮化钛; 膜组织;
机译:等离子体增强化学气相沉积法沉积TiN / TiB2多层膜的机械性能
机译:离子轰击能量通量对自由基注入等离子体增强化学气相沉积生长的化学成分对化学成分的影响和氢化非晶碳膜的结构
机译:通过等离子体增强化学气相沉积法沉积的纳米钛膜的特性,以及通过物理气相沉积法将膜的性能与该膜进行比较
机译:使用TMOS / O / Sub 2 / Su / Su / Sir和等离子体诊断增强氧化硅膜和氮氧化硅膜的化学气相沉积的等离子体增强了化学气相沉积
机译:等离子体增强化学气相沉积法生长硅锗膜的建模和实验研究。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:通过等离子体增强化学气相沉积沉积的无定形碳膜作为平面化层。
机译:等离子体增强化学气相沉积系统及等离子体增强化学气相沉积膜沉积方法
机译:用于通孔级应用的在钛上进行低温等离子体增强TiN膜的化学气相沉积方法
机译:等离子体增强化学气相沉积膜的化学气相沉积
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