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赵丽霞; 袁肇耿; 张鹤鸣;
河北普兴电子科技股份有限公司;
石家庄050200;
西安电子科技大学微电子学院;
西安710071;
过渡区; 击穿电压; 硅外延; 外延层厚度; 外延层电阻率; 有效外延层厚度;
机译:超高压等离子体辅助金属有机分子束外延制备的氮化铟外延层
机译:多参数磁共振成像和冰冻切片分析可有效预测接受神经保护性机器人辅助根治性前列腺切除术的患者的升级,分期和前列腺外延伸
机译:生长参数对150 mmΦ尺寸SiC外延片的面内分布的依赖性
机译:I 2 sup> L,片内兼容高压模拟功能,通过选择性外延掺杂获得
机译:4H-碳化硅中的高压外延发射极双极结型晶体管。
机译:多参数磁共振成像和冰冻切片分析可有效预测接受神经保护性机器人辅助根治性前列腺切除术的患者的升级分期和前列腺外延伸
机译:生长参数对液相外延生长InSb外延层表面形貌和结晶度的影响
机译:可扩展下一代外延的实验室仪器设计研究:通过智能控制的非平衡宽应用外延图案化(NEW-EpIC)。第1卷。通过micromiror图案化深紫外光解吸附进行3D成分/掺杂控制:革命性的原位表征/控制
机译:在例如制造中在半导体衬底上制造外延层。肖特基二极管,通过提供衬底,形成与种子层外延工艺接触的外延层,并调节各层的晶格参数
机译:具有外延缓冲区和外延覆盖区域的外延翅片结构
机译:外延片,制造外延片的方法,二极管和电流整流器
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