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周天舒; 黄庆安; 童勤义;
东南大学微电子中心;
SOI/SDB; 隐埋N沟; 场效应晶体管;
机译:对称全耗尽SOI双栅极MOSFET的解析(经典)亚阈值行为模型
机译:三金属栅极(TMG)全耗尽型隐式源极/漏极(Re-S / D)SOI MOSFET中表面电势的二维分析模型
机译:具有背栅控制的全耗尽(FD)隐式源/漏(Re-S / D)SOI MOSFET的分析阈值电压模型
机译:从DC到RF的新型全耗尽SOI MOSFET宏模型有效
机译:适用于部分耗尽型绝缘体上硅(SOI)MOSFET的面积有效体接触。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:使用3D泊松方程的解析解的全耗尽窄通道SOI MOSFET的表面电势和阈值电压模型
机译:全耗尽sOI(硅 - 氧化物)mOsFET中的导电分析
机译:具有U形通道的全耗尽SOI MOSFET
机译:具有U形沟道的全耗尽SOI MOSFET
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