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向嵘; 王国政; 陈立; 高延军; 王新; 李野; 端木庆铎; 田景全;
长春理工大学,长春130022;
中国兵器科学研究院,北京100089;
硅基体; 二维通道电子倍增器; 微孔列阵; 感应耦合等离子体; 光电化学刻蚀;
机译:纳米球刻蚀技术对碳微孔的二维二维周期性阵列
机译:高深宽比深亚微米的刻蚀轮廓控制A-Si栅刻蚀
机译:使用改进的深反应离子刻蚀技术对硅衬底进行三维刻蚀
机译:通过采用低侧壁粗糙度的深反应性离子刻蚀技术,逐步开发出锥孔刻蚀工艺,用于硅通孔应用
机译:球面光刻技术结合金属辅助化学刻蚀和各向异性化学刻蚀在Si(111)衬底上制造的三角形孔阵列
机译:球面光刻技术结合金属辅助化学刻蚀和各向异性化学刻蚀在Si(111)衬底上制备的三角形孔阵列
机译:通过形成刻蚀停止层在不同的通道区域中产生机械张力的技术,该刻蚀停止层具有不同的内部电压。
机译:圆柱形垂直SI刻蚀通道3D开关设备
机译:CMOS技术中具有对称布局和深阱偏置的Si光电二极管
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