双栅氧LDMOS器件工艺技术的研究与改进

摘要

双栅氧LDMOS器件刻蚀过程中极易造成多晶硅残留现象,降低了栅极和源区之间的击穿电压。改进了制备双栅氧LDMOS器件的方法,对于70 nm以下的栅氧厚度,采用保留整个厚栅氧器件区域栅氧的刻蚀方法,同时用一次多晶工艺代替二次多晶工艺,消除了多晶硅残留现象,减少了工艺步骤,提高了成品率;对于厚度大于70 nm或者100 nm的厚栅氧器件,除了以上的改进措施,还增加了一步光刻工艺,分别单独形成高压和低压器件的源漏区域。通过这些方法,解决了多晶残留问题,得到了性能更好的LDMOS器件,大大提高了成品率。