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陶长远;
昆明物理研究所;
HgCdTe; 液相; 外延层; CdTe; 孪晶;
机译:GaAs(211)B衬底上生长的CdTe外延层中微孪晶的存在和原子排列
机译:Si(001)衬底上3C-SiC异质外延生长过程中堆垛层错和孪晶密度对沉积条件的影响
机译:在具有单层InAs缓冲层的GaAs(100)衬底上生长的六角形MnAs铁磁外延层中微孪晶的存在和原子排列
机译:液相外延过程中MgO衬底上YBa_2Cu_3O_x晶种膜的部分溶解机理
机译:使用新型液相-分子束外延技术在磷化镓衬底上生长的高质量砷化铟及相关合金。
机译:液相外延沉积金属有机骨架:衬底官能团密度对薄膜取向的影响
机译:Te杂质对液相外延生长在GaSb(001)衬底上的GaSb外延层形貌的影响
机译:分子束外延生长HgCdTe外延层在CdTe,CdZnTe和Gaas衬底上的可行性和成本评估。
机译:在CdTe衬底上生长的HgCdTe外延层上生长CdTe外延层的方法
机译:汽相外延的半导体衬底支持载体,外延晶圆制造设备和外延晶圆制造方法
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