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渠波; 郑新和; 王玉田; 韩景仪;
中国电子学会;
GaN外延层; 六角相; 孪晶分布; 极性;
机译:常规X射线极图和掠入射衍射极图测量的GaN / GaAs(001)外延层中六角形夹杂物和立方孪晶的极性依赖性
机译:在具有单层InAs缓冲层的GaAs(100)衬底上生长的六角形MnAs铁磁外延层中微孪晶的存在和原子排列
机译:五重孪晶双锥体金微晶体中的环境稳定四方相和正交相。
机译:HF0.5ZR0.5O2铁电薄膜中结构变换的原位原子可视化:从非极性四方相到极性正畸相位
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用电子能量损失光谱学区分InGaN / GaN微观结构中的立方相和六方相
机译:立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相
机译:alGaN和alGaN / GaN外延层中的供体,受体和陷阱
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
机译:用于制造基于gan的外延层的单晶衬底,制造该方法的方法,包括基于gan的外延层的LED和LD
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