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渠波; 贾全杰; 等;
中国科学院半导体研究所;
北京100083;
中国科学院高能物理研究所同步辐射研究室漫散射站;
北京100039;
立方相; GaN; 外延层; X射线四圆衍射分析; 氮化镓; 外延生长; 半导体薄膜;
机译:单晶X射线衍射分析和立方GaN / GaAs(001)外延层中相含量测量的多重因子和衍射几何因子
机译:四圆X射线衍射确定外延横向生长的GaN薄膜中的晶体倾斜
机译:三束X射线衍射分析研究GaN外延层的缺陷结构
机译:四圆X射线衍射研究SiC外延层多态性和晶格常数估计
机译:自组装成超分子空心柱状和立方相的树突结构的X射线衍射研究
机译:Si(111)衬底上GaN纳米线中应变分布的高分辨率X射线衍射分析
机译:中子辐照GaN外延层的拉曼散射和X射线衍射研究
机译:X射线显微镜衍射分析细晶粒和合金的子结构特征及衍射分析描述X射线双晶衍射仪结合X射线显微镜和衍射的描述和应用
机译:X射线衍射定量分析方法,X射线衍射定量分析仪,石棉X射线衍射定量分析方法和X射线衍射定量分析仪石棉
机译:使用硅单晶的偏轴进行X射线衍射的非反射样品架,样品架制造方法以及包括样品架和X射线衍射分析方法的X射线衍射分析系统由于照明角度而不会产生衍射,从而降低噪音
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
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