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张福厚; 陈江华; 李树强; 于复生; 曾一平;
山东工业大学;
中国科学院半导体研究所;
量子阱; 超晶格; 缓冲层; 半导体激光器;
机译:具有应变超晶格缓冲层的高效AlGaAs / GaAs单量子阱半导体激光器
机译:具有InGaAs / InP超晶格光学限制层和阻挡层的长波长量子阱激光器
机译:GaAs衬底上用于p沟道GaSb量子阱的AlGaAsSb超晶格缓冲层
机译:具有超晶格缓冲层的量子阱激光器的研究
机译:一,拉曼散射和X射线衍射研究对砷化镓-砷化铝超晶格中局限的LO和折叠的LA声子的退火作用。二。皮秒光散射研究砷化镓/铝(x)镓(1-x)砷化物多量子阱结构中的弛豫和隧穿
机译:二维横向量子阱超晶格的位错驱动生长
机译:全固态源原子层分子束外延生长的(InP)5 /(Ga0.47In0.53As)5超晶格约束的1.5μm多量子阱激光器
机译:(001)和(111)晶格匹配和应变量子线激光器的光电特性 - 与量子阱激光器的比较
机译:具有量子阱和超晶格的基于III族氮化物的发光二极管结构,基于III族氮化物的量子阱结构和基于III族氮化物的超晶格结构
机译:具有量子阱和超晶格的基于III类氮化物的发光二极管结构,基于III类氮化物的量子阱结构和基于III类氮化物的超晶格结构
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