InP基InAlAs异变缓冲层上的2.7μm InAs量子阱激光器

摘要

波长3μm左右的半导体激光器在分子光谱学,气体检测和医学诊断方面有许多重要的应用.对于该波段的激光器,通常是GaSb基结构的激光器.然而,InP基无锑结构的激光器与GaSb基结构的激光器相比有其自身优势,如衬底更便宜,工艺更成熟,导热性更好.在之前的工作中,本文描述了在InP基InAlAs异变缓冲层复合衬底上生长InAs/In0.53Ga0.47As量子阱,该量子阱室温光致发光波长达3.05μm.本文阐述了在InP基InxAl1-xAs数字递变缓冲层上生长InAs/In0.6Ga0.4As量子阱激光器.77K时,该激光器实现激射波长2.7μm,对应的阈值电流密度为145 A/cm2.在400 mA的连续注入电流下,激射功率超过5 mW.