机译:使用渐变的In_xGa_(1-x)As-InP变质缓冲层的GaAs衬底上的InAlAs太阳能电池
机译:在GaAs衬底上生长的In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As异质结双极晶体管中使用的InP,InAlAs和AlGaAsSb变质缓冲层的热特性
机译:强烈不匹配的GaAs和InAs在Inalas缓冲层中的影响在变质InAs(Sb)/ InGaAs / Inalas / GaAs量子限制异质结构的结构和光学性质上
机译:使用InP缓冲层的GaAs衬底上的变质InAlAs / InGaAs HEMT
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:GaAs(001)上生长的高质量100 nm厚InSb膜具有InxAl1-xSb连续渐变缓冲层的基板
机译:使用渐变InxGa1-xas-Inp变质缓冲层的Gaas衬底上的Inalas太阳能电池
机译:通过分子束外延在Gaas衬底上的Inalas缓冲层上生长的InGaas / alGaas子带间跃迁结构