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谢自力; 邱凯; 尹志军; 方晓华; 陈建炉; 蒋朝辉;
南京电子器件研究所;
分子束外延; 异质结; 量子阱; 调制掺杂; 二维电子气; MBE工艺; 铝镓砷三元材料;
机译:在As_2和As_4通量下生长的Al_xGa_(1-x)As / GaAs调制掺杂异质结构的光学表征
机译:GaAs和Al_xGa_(1-x)As的MBe生长中的高水平p型掺杂
机译:PA-MBE在Si(1 1 1)衬底上生长的未掺杂和Si掺杂的Al_xGa_(1-x)N薄膜的结构,光学和电学性质
机译:Ga〜+离子束诱导MBE生长AL_XGA_(1-X)AS / GAAs量子阱中的组成混合:优化低剂量应用的结构参数
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:退火生长的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs应变量子阱结构的磁输运研究
机译:在变质缓冲层的结构性质和形态的优化 - = sub = -x - = / sub = -al-= sub = -1-x - = / sub = -1-x - = / sub = - 通过在GaAs上的分子束外延生长的组合物(x = 0.05-0.83)的组合物的根谱(001)
机译:离子注入和mBE生长的Er掺杂Gaas和al(x)Ga(1-x)as的发光研究。
机译:MBE生长期间GaAs,(Al,Ga)As和其他化合物半导体中Si掺杂的控制
机译:MBE生长技术,用于匹配在GaAs衬底上生长的超晶格
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