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刘奇斌; 宋志棠; 吴良才; 封松林;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室;
Ge纳米晶; 高k介质; C-V曲线;
机译:基于三角形硅纳米线阵列的非平面NiSi纳米晶浮栅存储器,用于扩展纳米晶存储比例极限
机译:通过硅纳米晶点浮栅存储器进行电荷传输的隧道氧化物厚度的实验研究
机译:用于纳米浮栅存储器的纳米晶硅颗粒的电学特性
机译:具有大存储器窗口的ALD Ruo {Sub} 2纳米晶浮栅存储器件的高度热稳定和可重复
机译:新型纳米晶体浮栅存储器。
机译:电荷捕获存储器中用于纳米浮栅的隔离纳米石墨烯晶体
机译:嵌入二氧化硅中的锗纳米晶体用于浮栅存储器件
机译:一种估算辐射环境中浮栅提示电荷损失概率的方法。
机译:锗纳米晶的浮栅光电子存储器结构及其制造方法
机译:具有多个电荷存储层的浮栅,制造该浮栅的方法,使用该浮栅的非易失性存储器件及其制造方法
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