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刘芳; 陈燕宁; 李建强; 付振; 袁远东; 张海峰; 唐晓柯;
北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室;
北京100192;
北京智芯微电子科技有限公司北京市高可靠性集成电路设计工程技术研究中心;
伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM); 阈值电压; 饱和电流; 电荷密度; 夹断电势; 电容模型;
机译:伯克利短通道绝缘栅场效应晶体管模型4中多余通道热噪声系数的准确提取
机译:短沟道全耗尽双材料栅绝缘体上金属-氧化物-半导体场效应晶体管的新分析模型
机译:归因于背栅阶跃电位的纳米级双栅绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管的短沟道效应减小
机译:具有步骤BOX的纳米级超薄绝缘体上硅绝缘体场效应晶体管:自热和短沟道效应)
机译:SiC P沟道绝缘栅双极晶体管(IGBTS)的建模。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:绝缘栅应变si n沟道调制掺杂场效应晶体管的低频噪声
机译:短沟道绝缘栅场效应晶体管的精确模型
机译:用于设计和制造具有互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的半导体结构的方法,所述互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的栅极的功函数接近中间间隙半导体值
机译:高宽比栅和短沟道长度绝缘栅场效应晶体管的方法和结构
机译:具有绝缘栅场效应晶体管和与绝缘栅场效应晶体管的沟道区间隔开的阱的半导体器件
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