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王睿; 赵青云; 朱兆旻; 顾晓峰;
轻工过程先进控制教育部重点实验室,江南大学电子工程系,江苏无锡214122;
双栅金属氧化物半导体场效应管; 表面势; 阈值电压; 短沟道效应; 解析模型;
机译:具有双材料底栅的高k栅叠层双材料三栅极应变无硅MOSFET的3-D解析模型,可抑制短沟道效应
机译:二维模型对轻掺杂对称双栅MOSFET的短沟道静电的量子效应
机译:包含短沟道效应的非掺杂对称双栅MOSFET的准二维紧凑漏极电流模型
机译:短沟道对称双栅MOSFET的解析电势和阈值电压模型
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:短沟道无结双栅mOsFET的二维分析模型
机译:短沟道绝缘栅场效应晶体管的精确模型
机译:短沟道肖特基势垒MOSFET器件及其制造方法
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