抑制短沟道效应的复合金属栅结构AlGaN/GaN HEMT优化设计

摘要

为抑制深亚微米栅器件的短沟道效应(SCEs),本文提出了一种采用复合金属栅结构的AlGaN/GaN HEMT,复合金属栅结构(CMG)由一系列不同功函数的栅极金属构成.仿真结果表明:与常规的单栅结构(SMG-HEMT)对比，双复合金属栅(DMG)和三金属复合(TMG)栅结构使AlGaN/GaN HEMT器件的DIBL值分别下降16.7％和18.8％。同时，器件的直流和频率特性也得到提升,并且随着构成栅极的金属种类越多，这种改善效果就越明显.