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候泽红; 杜江锋; 潘沛霖; 于奇;
中国电子学会;
高电子迁移率晶体管; 氮化铝镓; 氮化镓; 复合栅介质层结构; 直流特性;
机译:深亚微米T型栅和原子层外延MgCaO作为栅介质的AlGaN / GaN / SiC MOSHEMT的DC和RF性能
机译:短期直流偏置引起的应力对以液相沉积$ hbox {Al} _ {2} hbox {O} _ {3} $作为栅介质的n-GaN / AlGaN / GaN MOSHEMT的影响
机译:具有通过原子层沉积生长的HfO_2栅介质的AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管中界面态的表征
机译:在AlGaN / GaN凹栅D型MIS-HEMT和E型MIS-FET上对PE-ALD SiN栅极电介质进行时变电介质击穿(TDDB)评估
机译:Algan / GaN Moshfet使用ALD电介质:性能和可靠性研究
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:以Gd2O3为栅介质的Si衬底上AlGaN / GaN MOS-HEMT的温度性能
机译:Ni栅alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的场致缺陷形貌。
机译:具有与c-AlGaN覆盖层绝缘的栅电极的常关立方相GaN(c-GaN)HEMT
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
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