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秦莉; 田振华; 程立文; 梁雪梅; 史晶晶; 张岩; 彭航宇; 宁永强; 王立军;
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春130033;
中国科学院研究生院,北京100039;
Crosslight公司中国分公司,上海200063;
光抽运; 应变量子阱; 垂直外腔面发射激光器;
机译:具有单个微环谐振器的InGaAs / lnAIAs多量子阱Mach-Zehnder调制器
机译:叔丁基ar的980nm InGaAs / GaAs / AlGaAs梯度折射率分离禁区异质结构量子阱激光器的MOCVD生长
机译:大功率工作的弱折射率导引埋藏式InGaAs应变量子阱980nm激光二极管
机译:InGaAs量子阱激光二极管内部约980nm发射的内部二次谐波产生的相位匹配分析
机译:使用光学输送带和大幅晶体管中的光学输送带和量子相干增益将单个原子输送到瓶梁阱中
机译:在Cr / Fe / MgAl2O4准量子阱结构中实现室温谐振隧道磁阻
机译:错误:“980nm inxga1-xas / gaas紧张量子阱激光器的通用降解机制”应用。物理。吧。 78,3166(2001)
机译:980nm应变量子阱激光器中的调频锁定
机译:理论上分析InGaN / CdZnO量子阱结构的光学性质的方法,该结构可以进行匹配,可以显着改善光学矩阵元素
机译:偏振化Ingan / CDZNO量子阱结构的光学性质的理论分析方法
机译:使用具有量子阱有源层的半导体激光元件的二次谐波产生装置,其中,量子阱有源层的谐振器长度和反射镜损耗被布置为增加增益峰值的宽度
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