高功率980nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器的优化(英文)

摘要

利用MOCVD生长980nm InGaAs-AlGaAs渐变折射率分别限制异质结单量子阱激光器外延片,采用锥形增益区脊形波导结构制备器件.保持总腔长1850μm不变,改变脊形区的长度分别为450,700和950μm,对比三种情况的P-I特性和光束质量.发现LRW=450μm时,器件特性参数和远场光束质量最优,斜率效率达0·83W/A,饱和功率为4·28W.输出功率为1W时,远场发散角为7·5°×30·6°,M2因子为3·79.