980nm高功率应变量子阱阵列激光器的研制

摘要

利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱阵列激光器。其有源区采用分别限制单量子阱结构,激射波长在980nm左右,阵列器件由48个LD构成,在重复频率300Hz、脉冲宽度200μs的条件下,室温光功率输出达到20W,斜率效率1.1W/A,光电转换效率29%。