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李璟; 马骁宇; 王俊;
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心;
量子阱激光器; 锥形增益; 脊形波导; 14xx; nm; InGaAsP/InP;
机译:发射功率为1.3μm的宽带高功率压缩应变GaInAsP / InP多量子阱脊形波导激光器
机译:低阈值电流MOVPE生长的GaInAs-Al(Ga)InAs分离禁闭异质结构多量子阱金属包覆脊形波导激光器,发射波长1585 nm
机译:高功率0.98-μmInGaAs-GaAs应变量子阱脊形波导激光器的稳定运行(超过5000小时),用于泵浦Er / sup 3 +/-掺杂的光纤放大器
机译:高功率和宽带增益处/ INP的设计和制造具有锥形有源区的高功率和宽带增益/ INP紧张的量子阱超高发光二极管
机译:ovel基于InP的高功率,高效率,单量子阱(SQW)有源区二极管激光器,发射功率为1.5微米。
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:具有非常低的阈值电流的高功率单模980 nm AlGaInAs / AlGaAs量子阱激光器
机译:高功率掺铒光纤放大器,带975Nm锥形增益区激光泵
机译:量子阱结构,光学约束型量子阱结构,半导体激光器,分布式反馈半导体激光器,光谱图和量子阱结构的制造方法
机译:发射激光器,异质结构和有源区的系统-量子阱对,用于发射激光器的波长为1,55微米
机译:半导体激光器高光增益量子阱
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