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成强; 孙寅聪; 敖天勇; 王渊旭; 张德权;
河南大学,物理与电子学院,河南,开封,475004;
河南省科学院,能源研究所有限公司,郑州,450008;
河南省科学院,郑州,450002;
量子阱LD; 腔体参数; 有源区量子阱数目; 优化设计;
机译:利用量子阱混合和偏置量子阱再生长对高增益和高饱和功率有源区进行积分
机译:具有以InGaN量子阱为基础的有源区的单片白色LED,该有源区由短周期的InGaN / CaN超晶格隔开
机译:基于微仪激光的微光耦合器和基于量子阱点的有源区的光电探测器
机译:基于量子阱,量子点和量子阱点的有源区的(Ga)AS / GaAs Mesa结构的光学性质研究
机译:ovel基于InP的高功率,高效率,单量子阱(SQW)有源区二极管激光器,发射功率为1.5微米。
机译:II型InAs / GaInAsSb量子阱中的界面混合设计用于中红外发射带间级联激光器的有源区域
机译:电调谐II型InAs / GaInSb量子阱中振荡器的强度,用于被动锁模带间级联激光器的有源区
机译:mWIR激光器在Inp衬底上使用II型量子阱有源区。
机译:二维层状材料量子阱结器件,多量子阱器件以及制造量子阱器件的方法
机译:无注入量子阱晶体管,制造这种无注入量子阱晶体管的方法以及这种无注入量子阱晶体管的用途
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