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曹子贵; 戴敏洁; 高超; 黄浩; 王卉; 程凯;
上海华虹宏力半导体制造有限公司;
上海201203;
闪存储器; 三栅分栅; F-N隧穿; 耐久性; 动态; 擦除电压;
机译:浮栅非易失性存储器中栅极电容耦合系数的提取:虚拟单元提取方法中浮栅存储器与参考晶体管失配影响的统计研究
机译:使用Si量子DOT-PECVD方法对Si Nanootots的浮栅存储器注入浮栅存储器 -
机译:一种改善源极侧注入分裂栅闪存中单元耐久度窗口的新方法
机译:具有高K栅极电介质和按比例缩放的栅-漏/栅-源分隔的超薄体平面InGaAs量子阱场效应晶体管中3-D三栅的静电改善
机译:浮栅半导体存储器件的耐久性表征和改进
机译:使用聚合物/ ZnO纳米复合材料的纳米浮栅的高性能透明晶体管存储器件
机译:半导体纳米粒子功能化的高性能柔性有机纳米浮栅存储器件
机译:一种用于准三维旋转涡轮机械叶栅设计的逆无粘性方法
机译:浮栅晶体管,分瓣栅浮栅存储器的编程方法和制造以及包括浮栅晶体管的结构
机译:分栅闪光存储器结构和制造分栅闪光存储器结构的方法
机译:在分栅闪速EEPROM单元中制造选择栅的方法及其结构
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