Si量子ドットを用いたフローティングゲートメモリ－PECVD法を用いたSiナノドットへの電子注入－

摘要

本研究ではPECVDを使ってSiドットを形成し、MOSキャパシタの中に埋め込むことで、その量子効果を観測した。 ゲート絶縁膜には熱酸化膜を、Siドットの上のコントロール酸化膜にも、PECVDを用いて連続製膜した。 PECVD酸化膜はヒステリシス特性が現れなかったことから界面特惟が良好であることが確認された。 熱酸化膜層上にPECVDによって堆積したSiドットは直径が5～11 nm、ドット密度は約7.3×10{sup}11/cm{sup}－2であり、隣接するドットどうしは孤立し、単一Siドットの作製が可能であることがわかった。 また、MOSキャパシタ構造における電気特性では電子の充放電がみられ、フローティングメモリに応用可能であることが示唆された。