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李国强; 杨慧;
华南理工大学材料科学与工程学院。发光材料与器件国家重点实验室,广州510640;
LED; Si衬底; 缓冲层; 图案掩模技术; 量子阱;
机译:大直径Si衬底的MOCVD高速生长基于氮化物的电子器件结构
机译:基于GaN的晶体生长和发光器件在Si衬底上的LED
机译:通过湿法刻蚀在Al_2O _3 / Si衬底上开发独立式InGaN LED器件
机译:III型氮化物的选择性MOVPE和在Si衬底上的器件制造
机译:在Cdte / Si衬底上生长的Hgcdte的退火和器件表征。
机译:Si衬底上基于氮化物的异质结构的忆阻和突触特性
机译:来自氮化物SiC / Si衬底上的氮化物和其他3-5个NNA的性质的MPE生长。从GaN NNA / Reznik R.,KOTLYAR K.P.,Kukushkin S.A.,Tsylin G.E.中上升扩散Si。 1
机译:基于si衬底上生长的III族氮化物的1.5微米光子器件。
机译:由锌混合型(也称为“立方晶型”)形成的母晶体中含有纳米点(也称为“量子点”)的活性区域AlyInxGal-y-xN晶体(y [[□]] [≧ [0,x> 0)生长在Si衬底上,以及使用该衬底的发光器件(LED和LD)
机译:激发区包括在Si衬底上生长的基质晶体中的纳米点(也称为“量子点”),该激发点由具有闪锌矿结构(也称为“立方”)的AlyInxGa1-y-xN晶体(y≥0,x> 0)制成。以及通过使用其获得的发光器件(LED和LD)
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