法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-02
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L33/12 授权公告日:20130814 终止日期:20161215 申请日:20101215
专利权的终止
2013-08-14
授权
授权
2011-07-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/12 申请日:20101215
实质审查的生效
2011-05-18
公开
公开
机译: GaN单晶衬底,制造GaN单晶衬底的方法,在GaN单晶衬底上形成的发光元件以及制造该GaN单晶衬底的方法
机译: GaN晶体,GaN自支撑衬底,用于GaN晶体生长的籽晶衬底,GaN晶体制造方法和GaN自支撑衬底制造方法
机译: GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法