制作以3C-SiC-Si为衬底的GaN蓝光LED器件的方法

摘要

本发明涉及一种制作以3C-SiC-Si为衬底的GaN蓝光LED器件的方法，其制作步骤是：首先以硅片为基础衬底层，再通过在硅片上制作由超薄碳化层、阻挡种子层和立方碳化硅外延层形成的器件的缓冲层，继而在缓冲层沉积GaN形成GaN结构层，之后在GaN结构层上粘接镀有银或镁的铝板或镍板形成欧姆接触，刻蚀掉硅后最终构成的具有自支撑结构的GaN蓝光LED器件。本发明技术的实施应用使LEDs晶片的直径得到增加(最大可到12吋)，大大地降低了LED芯片材料的生产成本和加工费用，既可有效地得到高质量的GaN沉积层，又可作为极为化学稳定的阻挡层刻蚀硅，也为LED管芯的改革、光的提取以及高温应力的消除创造了机会。