首页> 中文期刊> 《通讯和计算机》 >Problems and Properties of a Current Amplifier When Realized in Ultra Deep Sub-micron Technology

Problems and Properties of a Current Amplifier When Realized in Ultra Deep Sub-micron Technology

AI论文写作 >>

开具论文收录证明 >>

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

来源
《通讯和计算机》 |2017年第1期|P.39-45|共7页
作者
Simeon Kostadinov1; Ivan Uzunov2; Dobromir Gaydazhiev3;
展开▼
作者单位

[1]Smartcom Bulgaria AD, Department of Microelectronics, 36 Dragan Tzankov blvd., Sofia 1040, Bulgaria;

[2]SmartLab AD, BIC IZOT, Build. 1, 133 Tzarigr. Shosse blvd., Sofia 1784, Bulgaria;

[3]Smartcom Bulgaria AD, Department of Microelectronics, 36 Dragan Tzankov blvd., Sofia1040, Bulgaria;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类设计;
关键词
深亚微米技术; 电流放大器; 特性; 短沟道效应; 频率带宽; FET; 长度; 信道;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号