一种CMOS工艺兼容的PMOS管红外探测器

摘要

二极管连接的MOS管以恒定电流偏置时，栅源电压与温度成线性关系．其温度变化率与偏置电流和MOS管的宽长比等因素有关．对此做理论分析的基础上，用Hspice进行了仿真．当取偏置电流为60pA．MOS管的宽长比为2／2时，仿真得到的栅源电压温度变化率为2．13mV／K．基于此温度特性，提出用PMOS管作为红外探测敏感元件，利用标准CMOS工艺，结合体硅加工技术制作红外探测器的方法，并将PMOS管串联以进一步增加探测器的灵敏度．