溶胶凝胶法制备以Al2O3为界面修饰层的铪铟锌氧薄膜晶体管

高娅娜; 许云龙; 张建华; 李喜峰

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利用溶液法制备了以HfSiOx为绝缘层、HfInZnO为有源层、Al2O3为界面修饰层的TFT器件.HfSiOx薄膜经Al2O3薄膜修饰后,薄膜表面粗糙度从0.24 nm降低至0.16nm.Al2O3薄膜与HfSiOx薄膜之间的界面接触良好,以Al2 O3为界面修饰层的TFT器件整体性能得到提升,具体表现为:栅极电压正向和反向扫描过程中产生的阈值电压漂移显著减小,器件的阈值电压和亚阈值摆幅降低,迁移率与开关比增大.研究证明,溶液法制备Al2O3薄膜适合作为改善器件性能的界面修饰层.

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来源
《发光学报》 |2016年第1期|50-55|共6页
作者
高娅娜; 许云龙; 张建华; 李喜峰;
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作者单位

上海大学材料科学与工程学院,上海200072;

上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海200072;

上海大学材料科学与工程学院,上海200072;

上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海200072;

上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海200072;

上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海200072;

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正文语种 chi
中图分类 TN321.5;
关键词
溶液法; 薄膜晶体管; 界面修饰层Al2O3;

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