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朱长纯; 李毓民;
不详;
场发射阴极; 栅极; 氧化; 工艺;
机译:多层石墨烯作为栅电极用于金属氧化物半导体场效应器件应用的功函数调整和改进的栅介电可靠性
机译:勘误表:“功函数调整和多层石墨烯作为栅电极用于金属氧化物半导体场效应器件的应用,提高了栅介电可靠性”物理来吧100,233506(2012)]
机译:自对准顶栅非晶态金属氧化物薄膜晶体管的技术问题
机译:通过隧道外延,使用氮化的热氧化物作为栅绝缘体,开发自对准双栅MOSFET的工艺流程。
机译:使用溶液加工的聚合物栅极电介质自对准顶栅金属氧化物薄膜晶体管
机译:溶胶 - 凝胶金属氧化物和金属氧化物/聚合物多层通过弯月面涂层施加
机译:具有金属栅电介质金属栅电极和金属电弧层的金属氧化物栅电极堆叠
机译:用于输入晶体管的集成电路具有栅电极,其中输入晶体管的栅氧化物比集成电路的标准金属氧化物半导体晶体管的标准栅氧化物厚二十五倍
机译:形成具有浮动门的虚拟地面闪存EPROM阵列的方法,该浮动门与阵列的场氧化物区域自对准,而浮动栅则在阵列的场氧化物区域中完全对准
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