CMOS多晶电容工艺误差分析及设计研究

摘要

研究分析了CMOS多晶电容的工艺误差,给出了氧化硅介质层厚度的梯度误差、边际效应等工艺因素对CMOS多晶电容的影响.基于单位电容的改进设计,给出了CMOS多晶电容阵列的共心设计方法.采用0.6μmCMOS DPDM工艺,实现了基于CMOS多晶电容阵列的开关电容带通滤波器,实验结果表明本文的CMOS多晶电容设计方法具有较高的精度,能直接用于亚微米及深亚微米集成电路设计.