5.5英寸低温多晶硅CMOS AMOLED面板工艺研究

摘要

本文研究了LDD结构低温多晶硅(LTPS)CMOS的薄膜晶体管的相关制程,其经过准分子激光退火之后的多晶硅的晶粒大小约为0.30um.分析了NTFT的迁移率和漏电流,在不同的低掺杂漏极(LDD)离子植入条件下的变化关系.并测试得到薄膜晶体管的主要的参数,其阈值电压(Vth),迁移率(mobility),亚阈值摆幅(SS)均达到量产水平.展示了采用此工艺制备的LTPS基板的5.5英寸AMOLED单色面板基本性能和参数.